SK하이닉스(000660) – 4Q16 컨퍼런스콜

■ 투자 Point
① 4Q16 Review
4분기 매출은 전 분기 대비 26% 증가한 5조 3,577억원을 기록하였다. 작년 하반기 이후 계속된 우호적인 시장 상황으로 DRAM과 NAND 가격이 크게 올랐고, 환율도 상승하여 분기 기준 사상 최대의 매출을 달성하였다. DRAM 출하량은 서버와 모바일 수요 강세에 따라 계획보다 많은 전 분기 대비 13% 증가를 기록하였다. ASP는 PC DRAM을 중심으로 모든 제품 가격이 상승하였고, PC DRAM 대비 가격 프리미엄이 있는 모바일 DRAM 비중이 증가하면서 전 분기 대비 14% 상승하였다. NAND Flash 역시, 중국 스마트폰 수요를 중심으로 모바일 NAND 제품 수요가 계속 증가함에 따라 다른 Embedded 제품 대비 상대적으로 용량은 작으나 가격 프리미엄이 있는 eMCP 판매 비중이 증가하였다. 그에 따라 출하량은 전 분기 대비 3% 줄어들었지만, ASP는 큰 폭으로 올라 전 분기 대비 14% 상승하였다. 수요 강세와 가격 상승에 따라, MCP는 분기 매출 기록을 경신하며 매출 비중은 23%로 늘어났다. 특히, 4분기에는 전체 MCP 판매 물량 중 약 20%의 제품이 DRAM 3GB 이상, NAND 32GB 이상을 채용하여, MCP의 메모리 용량 증가가 두드러졌다.

매출 증가와 함께 4분기 영업이익은 전 분기 대비 112% 증가한 1조 5,361억원, 영업이익률은 29%를 기록하여, ‘15년 1분기 이후 최대 규모의 분기 영업이익을 달성하였다. DRAM 2Z나노와 NAND 1Y나노 비중을 증가시켜 단위당 원가를 절감하였으며, 가격 상승과 더불어 모든 제품의 수익성이 전 분기 대비 크게 개선 되었다. 한편, 4분기 감가상각과 무형자산 상각비는 1조 1,410억원으로 M14 상각비 증가 영향으로 전 분기 대비 소폭 증가하였으며, EBITDA는 2조 677십억원, EBITDA 마진율은 50%를 기록하였다. 또한, 4분기 투자는 약 1.7조원이 집행되어 ‘16년 누적 투자금액은 6조원을 소폭 상회하는 수준으로 집계 되었다.

영업외 항목에서는 환율상승에 따라 장기차입금 등 외화부채의 평가금액이 증가해 환산손실이 약 1,200억원 발생하였으나, 매출채권 회수 등에 따른 환차이익이 약 1,660억원 기록하며 외환관련 항목에서는 이익이 발생하였고, 이에 따라 전체 영업외수익은 350억원을 기록하였다.

한편, 메모리 시장의 구조적 변화로 인해 당사의 이익 창출이 계속되고 있는 상황에서 기존 이연법인세 자산 실현 가능성을 재검토한 결과, 이월세액공제 및 결손금의 소멸가능성이 낮은 것으로 판단하였다. 이에 따라, 4분기 중 추가적으로 이연법인세 자산을 인식하여 57억원의 부의 법인세 비용이 발생하였으며, 법인세 차감 후 순이익은 1조 6,286억원, 순이익률은 30%를 기록하였다.

지난해 메모리 반도체 시장은 글로벌 이슈에 따른 세계 경제의 변동성 확대와 더불어 커다란 변화를 겪었다. 상반기에는 PC를 포함한 전반적인 IT 수요 부진으로 메모리 가격이 급락하였으나, 하반기부터는 중화권 모바일 시장을 중심으로 수요가 크게 늘어나면서 시장 상황이 빠르게 개선 되었다. SK하이닉스는 이러한 시장 변화에 탄력적으로 대응하는 가운데, 생산효율 향상을 통해 원가를 절감하고 비용을 최소화하여 2016년 연 매출 17.2조원, 영업이익 3.28조원, 순이익 2.96조원의 실적을 달성하였다. 매출, 영업이익, 순이익은 전년 대비 각각 9%, 39%, 32% 감소하였으며 영업이익률은 19%, 순이익률은 17%로 전년 대비 9%p와 6%p 하락하였다.

한편, 연말 동사가 보유한 전체 현금성 자산은 4조 1,360억원으로 ‘15년 말에 비해 6,560억원 가량 감소하였으며, 차입금은 5,170억원 증가한 4조 3,360억원을 기록하여 소폭의 순차입 상황으로 전환 되었다. 하반기 실적 개선에도 불구하고 연간 이익이 전년 대비 크게 감소하였지만, SK 하이닉스는 전년 대비 주당 100원 올린 주당 600원의 현금 배당을 실시하기로 결정하였다.

② 2017 Preview
수요 측면에서 ‘17년 DRAM 시장은, 작년과 마찬가지로 IT 기기 판매량의 증가보다는 모바일과 서버에서 DRAM 채용량의 확대가 수요를 견인할 것으로 예상된다. 중국 모바일 업체들이 제품사양을 계속 고급화 시키고 듀얼카메라 채용도 증가하면서, 4GB 이상의 DRAM을 채용하는 제품 비중이 늘어나며 모바일 DRAM 수요를 견인할 것으로 기대된다. 이와 함께 모바일 기기의 성능 향상을 뒷받침하기 위해 LPDDR4에서 LPDDR4X 등 고성능 제품으로 전환도 예상되고 있다. 또한, IT 전반의 클라우드 computing이 확산되는 가운데, 머신러닝을 포함한 AI, Big Data 등 새로운 기술과 서비스 등이 본격적으로 성장기에 접어들면서, 서버 수요 기반이 확대되고 있고 데이터센터 업체의 투자 확대로 서버 DRAM 채용량 증가도 계속될 것으로 보인다. 이에 따라 올해 DRAM 수요 증가는 20% 수준이 예상되는 반면, 업체들의 투자가 DRAM 보다는 NAND에 집중되면서 공급 증가율이 수요 증가율보다 조금 낮을 가능성이 있을 것으로 예상된다.

한편, ‘17년 NAND 시장은, 작년 수요 성장을 촉진시킨 엔터프라이즈 SSD 수요는 주로 3D 제품으로 대응되는 반면, 모바일 기기 수요는 주로 2D 제품을 요구하고 있어, 2D 공급이 늘어나지 않고 3D 공급 증가도 제한적인 올해 상반기까지는 공급이 부족한 상황이 지속될 것으로 예상된다. 올해 NAND수요 증가율은 30% 초중반대로 예상되며, 공급은 2D제품의 생산 증가가 제한된 상황에서 업체들의 신규 3D capa 증가에 대한 불확실성이 여전히 존재하여 올해 공급 증가율은 수요 증가율보다 조금 낮을 것으로 예상된다. 하지만 공급 부족상황은 하반기로 갈수록 점차 완화될 것으로 보인다.

이에 동사는 먼저, DRAM은 기술경쟁력 강화와 수익성 극대화에 주력할 계획이다. 작년 하반기부터 본격화된 2Z나노 공정전환을 지속하는 한편, LPDDR4X와 eMCP등 고성능/고수익 제품의 차질 없는 전환을 목표로 하고 있으며, 차세대 제품인 1X나노 양산을 시작하여 기술력을 강화하겠다 밝혔다.
NAND는 시장의 패러다임 변화에 발맞추어 3D 기술경쟁력을 높이고, UFS등 차세대 NAND 모바일 제품 솔루션 기반을 강화할 예정이다. 아울러, M14 2층에 3D NAND 양산을 위한 클린룸을 마련함으로써 향후 전개될 3D NAND 수요 증가에 대응할 수 있는 기반을 확보할 계획이다.

올해 투자 금액은 작년 말 공시한 바와 같이 장기 경쟁력 강화를 위한 추가 클린룸 건설 투자를 포함하여 약 7조원 수준을 예상되고 있다. 작년 대비 증가한 투자 금액의 상당 부분은 클린룸 건설과 관련 인프라 투자에 사용될 것이고, 이를 제외한 투자 금액은 작년과 비슷한 수준이나 DRAM 투자는 전년 대비 감소하고, 3D NAND의 capa 증가를 위하여 NAND 투자는 전년 대비 증가할 예정이다.

이러한 투자를 바탕으로 동사는 올해 시장 성장과 비슷한 수준의 DRAM 출하 성장률을 계획하고 있으며, NAND는 시장 성장률보다 다소 낮은 출하 성장률을 계획하고 있다. 아울러 DRAM과 NAND의 1분기 출하량은 모두 전 분기 대비 한자리 수 초반의 감소가 예상된다.

■ Q&A
Q) 상반기 가격 상승 트렌드를 보면 D램 마진이 40~50% 사이까지 올라가고 있는 것 같다. 세트업체 입장에서는 부담일 것 같은데, 마케팅하면서 고객사로부터 가격 저항은 없었는지, 없었다면 이번엔 왜 없었는지 알고 싶다.
A) 가격 협상 중에 저항이 있었던 것은 사실이다. 그러나 결국은 높게 인상된 가격으로 협상이 완료되었다. 이유는 고객들이 세트 성장에 대한 강한 의지가 있었고, 하반기까지도 가격이 크게 떨어지지 않을 것으로 그들도 예측했기 때문이다. 미리 재고를 쌓아두려는 의도도 있었다고 생각한다.

Q) 배당금을 소폭 올렸는데, 예전에도 주주환원 정책에 대해 설명해 주었지만, 혹시 어떤 현재 어떤 변화가 생겼는지 궁금하다.
A) 배당정책 변화는 없다. 올해 실적이 작년보다 하락했지만, 투자자분들을 위해 배당을 늘리는 방향이 바람직하다고 판단하였다. 2017년 이후에 메모리 업황에 대한 긍정적으로 보고 있으므로 배당 상향 방향을 결정하였다.

Q) 최근 NAND 이익이 개선되고 있는데, 개선 요인이 무엇인지, 지속 가능성이 있는지, 그리고 3D NAND 확대 가능성이 있는지 궁금하다.
A) NAND 관점에서 시장을 보면, 작년 하반기 시작된 수요 강세를 생산이 충분히 못 따라가는 상황이다. 앞서 말한 바와 같이, 2D를 통한 빗그로스가 어려워 금년 하반기는 되어야 3D를 통한 빗그로스가 가능할 것으로 본다. 이러한 시장 상황이 상반기까지는 긍정적으로 지속되리라 보고 있다. 당사는 48단 제품을 약속한 바와 같이 작년 연말부터 출하 개시하였고, 금년 상반기 중에 다음 세대 제품인 72단 제품의 개발 완료를 목표로 하고 있다.

Q) 도시바 등의 경쟁사가 NAND FLASH 투자를 모색 중인데, 언론 보도를 보면 WD나 사모펀드 등에서 관심을 보이고 있다고 한다. 하이닉스는 도시바 혹은 다른 업체와 파트너십을 맺는 것에 대해 어떻게 생각하는가?
A) 도시바에 대해서는 현재 상황을 예의 주시하고 있지만, 그 이외에는 아무것도 결정된 바가 없고 이루어지고 있는 바도 없다.

Q) 이번 분기에는 eMCP 매출을 어느 정도로 예상하는가? 지난 두 개 연속 분기 동안 매출이 지속 증가했기 때문에 향후 매출은 어떻게 전망하는지 궁금하다. 최근 중국 스마트폰 OEM들이 eMCP 재고를 축적하고 있는데, 이러한 중국 스마트폰 OEM의 재고 축적이 언제까지 지속될 것으로 보고 있는가?
A) eMCP 매출은 작년부터 올해 1분기까지 지속 상승세이다. 정확한 수치를 말할 수 없지만, 올해 하반기까지도 이러한 추세가 지속될 것으로 보고 있다. 중국 세트 제조사들이 eMCP 재고를 축적 하는 것은 맞지만, 그들의 재고 수준도 높지 않은 상황이다. 또한, 공급사들에게 eMCP 공급을 요청하고 있지만 우리를 포함한 공급사들이 물량을 충분히 주고 있지 못하고 있다.

Q) SK하이닉스가 추진하고 있는 향후 1Y나노, 3D NAND 생산 비중이 금년 말에는 어느 정도까지 확대될지 궁금하다. 21나노가 2016년 말에 40% 가까이 된다고 말씀해 주셨고, 그 부분은 달성된 것 같다. 3D NAND도 3분기 말부터 출하가 시작되면서 전체 NAND에서 한 자릿 수 비중은 차지 하지 않았나 생각한다. 이런 맥락에서 2017년 말에 가면 신규 기술이 적용된 제품의 생산 비중이 어느 정도까지 올라올 것으로 전망하는지 궁금하다.
A) D램은 작년 연말에 40% 비중을 넘어섰다. 올해 연말까지 60% 이상으로 확대할 계획이다. 1X나노는 1분기 중에 기술 개발을 완료하고 2분기부터 샘플링과 Ramp up을 진행하고, 3분기부터는 양산에 들어갈 예정이다. 연말 목표는 10% 수준이다. 이 비중은 패키지 기준임을 참고 바란다. NAND의 경우 2016년 말에 3D 비중이 패키지 기준으로 약 10%를 달성하였다. 2017년에는 48단 비중을 점차 확대하고 하반기에 72단을 생산하면서 4분기에는 3D 패키지 비중이 2D를 넘어설 것으로 보고 있다.

Q) 미국 정부의 수입 제품에 대한 세금 이슈가 있다. 예전처럼 Oregon에 공장이 있다면 나을 텐데 지금은 전무한 상황이고 대응을 안 할 수도 없지 않겠는가. 그렇다고 대응하자니 2~3년의 기간도 필요하고 그 후 영업하는 것도 쉽지 않을 것으로 본다. 어떻게 대응하는 게 좋은지 잘 모르겠다. 회사는 이천과 청주에 대규모 투자를 진행하고 있는데, 미국에서도 생산 운영을 해야 하는지 회사 측의 의견을 듣고 싶다.
A) 언론 등을 통해 미국의 보호무역에 관해 보도는 되고 있다. 하지만 아직까지 구체적인 움직임은 없는 상황이다. 우리가 생산 판매하는 제품이 부품이기 때문에 그 영향은 비교적 적지 않나 조심스럽게 예측한다. 따라서 현재 미국에 생산 시설을 짓거나 운영할 계획은 아직까진 생각하지 않고 있다.

Q) D램의 경우 작년 2분기 이후에 애플리케이션 매출 비중이 크게 달라지지 않았는데, PC D램 가격의 상승 폭이 확대되고 있어서 혹시 1분기에는 애플리케이션별 비중의 변화가 있는지 궁금하다.
A) 큰 트렌드로 시장을 보면 D램은 저성장 국면에 있지만, 그 안에서 모바일과 서버가 시장을 견인하고 있다. 우리도 운영 리소스를 그 기조에 맞춰서 갈 것이다. 단기적인 오퍼 측면에서 일부 응용과 일부 고객 단에서 수요와 공급 간의 미스 매치는 소폭 조정해갈 것이다.

Q) NAND 쪽 설비투자 일정에 대해 업데이트 부탁한다.
A) 현재 3D NAND는 대부분 청주공장에서 생산하지만, M14 2층 클린룸이 1분기에 완료되면 1분기 말부터 장비 입고를 시작할 것이다. 장비 설치 및 웨이퍼 생산 기간을 감안하면 실제 제품이 공급되는 시기는 6월 이후이고 3분기부터 본격적으로 3D 물량이 늘어날 것으로 예상한다.

Q) M14 클린룸이 1분기에 거의 완공된다고 말씀하셨는데, 현재 1층이랑 2층 클린룸 장비 입고 현황에 대해 설명 부탁한다.
A) 1층은 D램 FAB으로 상당 부분 차 있고, 나머지 부분은 올해 2Z나노의 1X나노 Tech-Migration을 위해 공간을 남겨두고 있다. M14의 2층은 둘로 나뉘어 있는데 50%는 3D NAND 생산에 할애되며, 1분기 클린룸을 완공하여 2분기부터 3D 생산이 시작될 예정이다. 이후에도 3D 수요 증가를 고려하여 하반기에는 나머지 부문의 클린룸 공사를 시작해서 연말까지 완공하려고 진행 중이다.

Q) 1분기 D램 빗그로스 가이던스가 경쟁사 대비 공격적으로 보인다. 어떻게 달성가능한 것인지, 생산하는 대로 바로바로 출하하는 것인지 등 전반적인 계획에 대해 설명 바란다.
A) 1분기뿐 아니라 상반기 전체로도 수요가 강해서 생산이 이를 못 받쳐주고 있다. 재고를 타이트하게 가져가더라도 공급할 예정이다. 결론적으로 판매, 출하 빗 달성에는 큰 문제는 없다고 본다.